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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
15.0
写入速度,GB/s
9.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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