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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
17.4
写入速度,GB/s
9.0
14.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3692
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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