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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
9.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2952
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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