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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
16.7
写入速度,GB/s
9.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2584
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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