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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
73
读取速度,GB/s
12.8
14.1
写入速度,GB/s
9.0
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1609
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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