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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
12.8
10.3
写入速度,GB/s
9.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2311
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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