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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
9.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2807
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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