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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
14.5
写入速度,GB/s
9.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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