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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
13.3
9.6
写入速度,GB/s
8.5
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2286
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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