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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
54
读取速度,GB/s
13.3
15.7
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2511
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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