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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Super Talent F24SB8GH 8GB

总分
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Super Talent F24SB8GH 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
Super Talent F24SB8GH 8GB 需要考虑的原因
Super Talent F24SB8GH 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 28
    左右 -27% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2213 left arrow 2337

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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内存RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
内存RAM
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
内存RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
内存RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
内存RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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