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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.9
14.1
写入速度,GB/s
8.7
11.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3023
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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