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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
10.9
15.6
写入速度,GB/s
8.7
11.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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