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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
16.8
写入速度,GB/s
8.7
13.8
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3405
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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