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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
71
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
71
读取速度,GB/s
10.9
16.2
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1979
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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