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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2648
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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