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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
10.9
16.5
写入速度,GB/s
8.7
12.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3321
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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