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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
66
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
66
读取速度,GB/s
9.8
16.7
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1912
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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