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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
9.8
16.6
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3089
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
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