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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
18.8
写入速度,GB/s
8.1
15.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3649
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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