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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
9.8
18.1
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3505
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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