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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3602
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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