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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
9.8
17.4
写入速度,GB/s
8.1
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3908
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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