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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
18.0
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3371
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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