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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
98
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
98
读取速度,GB/s
9.8
10.7
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1679
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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