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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
9.8
16.9
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3236
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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