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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3537
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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