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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
9.8
20.9
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3343
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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