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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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规格
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
18.7
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3659
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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