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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
17.1
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3047
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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