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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
13.2
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1983
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology C 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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