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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
9.8
13.3
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2277
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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