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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
17.1
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3520
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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