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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
9.8
15.4
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2674
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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