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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
51
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
17
读取速度,GB/s
9.8
21.6
写入速度,GB/s
8.1
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3702
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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