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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
51
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
48
读取速度,GB/s
9.8
11.0
写入速度,GB/s
8.1
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2235
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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