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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lenovo 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Lenovo 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Lenovo 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Lenovo 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
51
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lenovo 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
50
读取速度,GB/s
9.8
16.4
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2951
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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Kllisre 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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