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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
51
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
48
读取速度,GB/s
9.8
11.6
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2466
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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