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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
51
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
46
读取速度,GB/s
9.8
15.9
写入速度,GB/s
8.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2936
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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