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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
52
读取速度,GB/s
9.8
10.4
写入速度,GB/s
8.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2384
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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