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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
9.8
14.3
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2159
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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