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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
16.9
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3582
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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