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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2697
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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