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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
14.6
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2664
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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