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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
31
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
31
读取速度,GB/s
18.4
19.1
写入速度,GB/s
12.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3091
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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