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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
5,987.5
17.5
写入速度,GB/s
2,160.7
12.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3271
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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