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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2659
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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