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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3316
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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