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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.0
14.7
写入速度,GB/s
7.8
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2488
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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