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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3485
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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